|
TTL |
Serie
7400 |
|
|
74 |
74 – standard TTL.
den oprindelige logik familie havde ingen bogstaver mellem "74" og
del antallet. 10 ns gate forsinkelse, 10 mW varmeafledning, 4.75–5.25 V,
udgivet i 1966. [8] |
|
|
|
|
|
|
74L |
74L – lavt strømforbrug.
Større modstande tilladt 1 mW spredning på bekostning af en meget langsom 33
ns gate forsinkelse. Forældet, erstattet af 74LS eller CMOS teknologi.
Indførte 1971. [9] |
|
|
|
|
|
|
74H |
74H-højhastighedstog.
6 ns gate forsinkelsen men 22 mW tabseffekt. Bruges i 1970s æra
supercomputere. Stadig produceret men generelt afløst af 74S-serien.
Introduceret i 1971. |
|
|
|
|
|
|
74S |
74S-højhastighedstog
Schottky. Gennemført med Schottky diode klemmer på input til at forhindre
gratis opbevaring, giver dette hurtigere drift end 74 og 74 H serien på
bekostning af øget strømforbrug og omkostninger. 3 ns gate forsinkelse, 20 mW
varmeafledning, udgivet i 1971. |
|
|
|
|
|
|
74LS |
74LS-energibesparende
Schottky. Gennemført med samme teknologi som 74S men med reduceret
strømforbrug og skifte hastighed. Typisk 10 ns gate forsinkelse, en
bemærkelsesværdig (for tiden) 2 mW varmeafledning, 4.75–5.25 V. |
|
|
|
|
|
|
74AS |
74AS-avanceret
Schottky, den næste iteration af 74S-serien med større hastighed og fan-out
trods lavere strømforbrug. Gennemført bruger 74S's teknologi med "miller
killer" kredsløb til at fremskynde lav til høj overgangen. 1.7 ns gate
forsinkelse, 8 mW, 4.5–5.5 V. |
|
|
|
|
|
|
74ALS |
74ALS-avanceret
energibesparende Schottky. Samme teknologi som 74AS, men med hastighed/power
afvejningen af 74LS. 4 ns, 1.2 mW, 4.5–5.5 V. |
|
|
74F |
74F – hurtigt. Fairchild
version af TI'S 74AS. 3.4 ns, 6 mW, 4.5–5.5 V. indført i 1978. |
|
|
CMOS |
|
|
|
|
C-CMOS 4–15 V drift
ligner buffered serien 4000 (4000B). |
|
|
HC |
HC-højhastighedstog
CMOS, lignende ydeevne til LS, 12 ns. 2.0–6.0 V. |
|
|
HCT |
HCT-høj hastighed,
kompatibel logik niveauer til bipolar dele. |
|
|
AC |
AC – avanceret
CMOS, ydeevne generelt mellem S og F. |
|
|
ACQ |
ACQ – avanceret
CMOS med rolig udgange. |
|
|
AHC |
AHC – avanceret
højhastigheds CMOS, tre gange så hurtigt som HC. |
|
|
ALVC |
ALVC-lav-spænding –
1.8–3.3 V, tid Propagation Delay (TPD) < 3 ns på 3,3 V. |
|
|
ALVT |
ALVT-lav-spænding –
2.5–3.3 V, 5 V tolerant indgange, høje nuværende = 64 mA, TPD < 3 ns på
2,5 V. |
|
|
AUC |
AUC-lav-spænding –
0.8–2.5 V, TPD < 2,5 ns på 1,8 V. |
|
|
OP |
OP-lav-spænding –
0.8–3.6 V (3.3 V typisk), TPD 15.6/8.2/4.3 ns på 1.2/1.8/3.3V, delvis
power-down angivet (IOFF), input beskyttet. |
|
|
AVC |
AVC-lav-spænding –
1.8–3.3 V, TPD < 3.2 ns på 1,8 V, bus holder, IOFF. |
|
|
FC |
FC-hurtig CMOS,
ydeevne svarende til F. |
|
|
TOVE |
Tove-CMOS med 3 V
levering og 5 V tolerant indgange. |
|
|
LV |
LV-lav spænding
CMOS-2.0–5.5 V levering og 5 V tolerant indgange. |
|
|
LVC |
LVC – lav spænding
– 1.65–3.3 V og 5 V tolerant indgange, TPD < 5.5 ns på 3,3 V, TPD < 9
ns på 2,5 V. |
|
|
LV-A |
LV-A-2.5–5 V, 5 V
tolerant indgange, TPD < 10 ns på 3,3 V, bus hold, IOFF, lav støj. |
|
|
LVT |
LVT-lav-spænding –
3.3 V forsyning, 5 V tolerant indgange, højkapacitet nuværende < 64 mA,
TPD < 3.5 ns på 3,3 V, IOFF, lav støj. |
|
|
LVQ |
LVQ-lav-spænding –
3.3 V. |
|
|
LVX |
LVX-lav-spænding –
3.3 V med 5 V tolerant indgange. |
|
|
VHC |
VHC – meget høj
hastighed CMOS-"S" præstation i CMOS teknologi og magt. |
|
|
Bimos |
|
|
|
BTT |
BTT – BiCMOS,
TTL-kompatibel input tærskler, anvendes til buffere. |
|
|
ABT |
ABT-avanceret
BiCMOS, TTL-kompatibel input tærskler, hurtigere end loven og BTT. |
|